描述一种半导体构件(10)，其具有衬底和至少两个温度测量元件(20，22)。所述两个温度测量元件(20，22)在所述半导体构件(10)的裸晶片(11)上布置在所述半导体构件(10)内的不同位置上。尤其是，温度测量元件(20)能够布置在所述半导体构件(10)的有源区域(14)中，并且温度测量元件(22)能够布置在所述半导体构件(10)的无源区域(16)中。所述温度测量元件(20，22)测量两个不同的温度TJ、Tsense，借助所述两个不同的温度然后能够计算流过所述半导体构件(10)的电流IDS。所述半导体构件能够是功率MOSFET(18)。此外，描述一种用于确定流过半导体构件(10)的电流IDS的方法，其中，使用在所述半导体构件(10)的不同位置上测量的两个温度。所描述的半导体构件(10)以及所描述的方法例如适合于应用在用于车辆的控制装置中。