Invention Grant
- Patent Title: 半导体存储装置及其形成方法
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Application No.: CN201710192623.7Application Date: 2017-03-28
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Publication No.: CN108666310BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 卢建鸣 , 李甫哲 , 蔡建成 , 徐久芳
- Applicant: 联华电子股份有限公司 , 福建省晋华集成电路有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹市;
- Assignee: 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- Current Assignee: 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹市;
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 陈小雯
- Main IPC: H01L27/108
- IPC: H01L27/108 ; H01L21/8242
Abstract:
本发明公开一种半导体存储装置及其形成方法，半导体存储装置包含多个主动区、浅沟槽隔离、多个沟槽与多个栅极结构。多个主动区是定义在半导体基底上，且被浅沟槽隔离环绕。多个沟槽是设置在半导体基底内并穿过多个主动区与浅沟槽隔离。其中，各沟槽在多个主动区内具有底面，而底面上还设置有向上突起的鞍部。多个栅极结构则是分别设置在多个沟槽内。
Public/Granted literature
- CN108666310A 半导体存储装置及其形成方法 Public/Granted day:2018-10-16
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IPC分类:
