Invention Publication
CN108666375A 一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用
- Patent Title (English): Nanometer layered horizontal homogeneous PN diode and fabrication method and application thereof
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Application No.: CN201810356878.7Application Date: 2018-04-20
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Publication No.: CN108666375APublication Date: 2018-10-16
- Inventor: 曾祥斌 , 王文照 , 郭振宇 , 吴少雄 , 曾洋 , 胡一说 , 周广通 , 靳雯 , 任婷婷
- Applicant: 华中科技大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Agency: 华中科技大学专利中心
- Agent 曹葆青; 李智
- Main IPC: H01L31/0224
- IPC: H01L31/0224 ; H01L31/032 ; H01L31/0352 ; H01L31/103 ; H01L31/18 ; B82Y40/00

Abstract:
本发明公开了一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用。所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜均位于介质层的上表面,且横向连接;电极层分别与p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜纵向连接或横向连接;所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜由相同过渡金属硫族化合物组成。本发明制备方法简单,采用磁控溅射使氧等离子体实现过渡金属硫族化合物高效率低损伤的p型掺杂,实现了有效、可控掺杂,得到的二极管用于光电探测器具有更快光响应和更高探测率。
Public/Granted literature
- CN108666375B 一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用 Public/Granted day:2019-08-13
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