本发明公开了一种氧化层的制造方法，包括步骤：步骤一、提供一硅片，对硅片表面进行预处理；步骤二、进行氧化层生长，包括分步骤：步骤21、进行饱压工艺，饱压气体采用惰性气体或氮气；在升温过程中，硅片表面的Si‑H键断裂并产生H2，通过饱压气体将H2吹出；步骤22、进行二氧化硅沉积工艺，在稳定的温度和气压下，氧源气体和硅反应形成二氧化硅层。本发明能提高氧化层的质量以及氧化层和硅表面的界面质量，减少氧化层和硅的界面缺陷，改善器件的闪烁噪声。