Invention Grant
- Patent Title: 一种垂直结构LED器件的制造方法
-
Application No.: CN201810659269.9Application Date: 2018-06-25
-
Publication No.: CN108847433BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 沈奕 , 吕岳敏
- Applicant: 汕头超声显示器技术有限公司
- Applicant Address: 广东省汕头市龙湖区龙江路12号(超声电子工业园)内液晶显示器主厂房东南侧
- Assignee: 汕头超声显示器技术有限公司
- Current Assignee: 汕头超声显示器技术有限公司
- Current Assignee Address: 广东省汕头市龙湖区龙江路12号(超声电子工业园)内液晶显示器主厂房东南侧
- Priority: 201810451966.5 2018.05.12 CN
- Main IPC: H01L33/00
- IPC: H01L33/00 ; H01L33/44 ; H01L33/32

Abstract:
一种垂直结构LED器件的制造方法,包括:步骤一、在外延基底上生长出LED器件的半导体发光层;步骤二、在半导体发光层的外侧形成具有软磁性的软磁金属层,至少所述软磁金属层与半导体发光层构成LED器件;步骤三、在外延基底的背面照射紫外激光使得半导体发光层的底部发生分解,同时在LED器件的外侧放置磁铁,利用磁铁与软磁金属层之间的磁吸力,将LED器件从外延基底上吸附出来,得到垂直结构的LED器件。这种垂直结构LED器件的制造方法,其LED器件在剥离时不需采用紫外降粘胶纸,因而不存在紫外降粘胶的污染问题。
Public/Granted literature
- CN108847433A 一种垂直结构LED器件的制造方法 Public/Granted day:2018-11-20
Information query
IPC分类: