Invention Publication
- Patent Title: 一种γ-TiAl合金表面的NiCrAlSi/CeO2掺杂YSZ涂层及其制备方法
- Patent Title (English): A NiCrAlSi/CeO2 doped YSZ coating on the surface of a gamma-TiAl alloy and a preparing method thereof
-
Application No.: CN201811218430.5Application Date: 2018-10-19
-
Publication No.: CN109207939APublication Date: 2019-01-15
- Inventor: 魏东博 , 张平则 , 赵瑞博 , 李淑琴 , 姚正军 , 马振宇
- Applicant: 南京航空航天大学
- Applicant Address: 江苏省南京市秦淮区御道街29号
- Assignee: 南京航空航天大学
- Current Assignee: 南京航空航天大学
- Current Assignee Address: 江苏省南京市秦淮区御道街29号
- Agency: 南京瑞弘专利商标事务所
- Agent 陈国强
- Main IPC: C23C14/32
- IPC: C23C14/32 ; C23C14/02 ; C23C14/16 ; C23C8/36 ; C23C14/08

Abstract:
本发明公开了一种γ-TiAl合金表面的NiCrAlSi/CeO2掺杂YSZ涂层及其制备方法,该涂层包括自下而上依次设在基体上的NiCrAlSi沉积层、等离子渗氧陶瓷膜、CeO2掺杂YSZ隔热层。其制备方法为:对γ-TiAl合金基体表面进行预处理;利用等离子刻蚀技术在基体表面形成峰形阵列微结构;利用多弧等离子镀技术在基体上进行NiCrAlSi沉积层;采用等离子渗氧的方法在表面形成一层致密的等离子渗氧陶瓷薄膜;采用多弧等离子镀技术在上述所得涂层上及进行CeO2掺杂YSZ沉积。本发明提高了γ-TiAl合金与NiCrAlSi/CeO2掺杂YSZ涂层的结合强度。
Public/Granted literature
- CN109207939B 一种γ-TiAl合金表面的NiCrAlSi/CeO2掺杂YSZ涂层及其制备方法 Public/Granted day:2019-10-11
Information query
IPC分类: