本发明涉及一种半导体器件的分裂栅结构及其制造方法。所述方法包括：在晶圆表面形成第一沟槽；在第一沟槽内表面形成氧化硅；在第一沟槽内形成多晶硅；各向异性刻蚀所述多晶硅，在第一沟槽内的侧壁形成栅极多晶硅；在栅极多晶硅表面形成侧壁氧化层；向第一沟槽内淀积含氮化合物并刻蚀形成含氮化合物侧墙；以含氮化合物侧墙为掩膜向下刻蚀，形成第二沟槽；在第二沟槽的侧壁形成氧化层；向第一沟槽和第二沟槽内填充多晶硅，作为源极多晶硅。本发明可以稳定侧壁氧化层的厚度，确保实现低开启电压、并加厚栅极多晶硅和源极多晶硅之间的介质厚度，降低栅‑源多晶硅电极的漏电。