Invention Grant
- Patent Title: 一种直接合成立方相CsPbI3纳米线的方法
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Application No.: CN201811243674.9Application Date: 2018-10-24
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Publication No.: CN109231262BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 臧剑锋 , 陈卓 , 董侣明 , 叶镭 , 喻研
- Applicant: 华中科技大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Agency: 华中科技大学专利中心
- Agent 许恒恒; 李智
- Main IPC: C01G21/00
- IPC: C01G21/00 ; B82Y30/00

Abstract:
本发明公开了一种直接合成立方相CsPbI3纳米线的方法,包括以下步骤:(1)将乙酸铯溶解于溶剂中,加入助溶剂油酸类物质,完全溶解后得到铯前驱体;将碘化铅溶解于溶剂中,加入表面活性剂油酸类物质和油胺类物质,在T1下保温得到碘化铅的前驱体;(2)将铯前驱体分两次加入到碘化铅的前驱体中,具体是先将一部分铯前驱体加入到碘化铅的前驱体中;然后升温至T2,接着将剩余的铯前驱体再次加入到该碘化铅的前驱体中,继续保温,即可得到立方相的铯铅碘纳米线。本发明通过对合成方法整体流程工艺设计等进行改进,分两次将铯前驱体与碘化铅前驱体反应,在较低温度下即可制备立方相铯铅碘纳米线。
Public/Granted literature
- CN109231262A 一种直接合成立方相CsPbI3纳米线的方法 Public/Granted day:2019-01-18
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