Invention Grant
- Patent Title: 基于双极化Van Atta阵列的低RCS微带天线
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Application No.: CN201810938119.1Application Date: 2018-08-17
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Publication No.: CN109361053BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 史琰 , 张向凡 , 孟赞奎
- Applicant: 西安电子科技大学
- Applicant Address: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- Assignee: 西安电子科技大学
- Current Assignee: 西安电子科技大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- Agency: 陕西电子工业专利中心
- Agent 陈宏社; 王品华
- Main IPC: H01Q1/36
- IPC: H01Q1/36 ; H01Q1/38 ; H01Q1/50 ; H01Q13/08

Abstract:
本发明提出一种基于双极化Van Atta阵列的低RCS微带天线,包括辐射单元、同轴馈线和基于双极化Van Atta阵列改进的2×2双极化方阵,2×2双极化方阵包括上下层叠的第一介质基板和第二介质基板,第一介质基板上表面印制辐射单元和其周围的2×2个金属贴片,下表面印制金属地板,第二介质基板下表面印制2×2组微带馈线和电长度相等的用来分别连接两条对角线上的一组微带馈线中的两个各与另一组微带馈线中的两个的第一微带连接线和第二微带连接线,通过蚀刻在金属地板上的2×2组缝隙耦合或连接贴片和微带馈线的2×2组金属柱传输能量到金属贴片。本发明与现有技术的构思不同,能够同时保证天线的辐射和低雷达散射截面特性。
Public/Granted literature
- CN109361053A 基于双极化Van Atta阵列的低RCS微带天线 Public/Granted day:2019-02-19
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