本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面形成有凸起结构；使用含氧等离子体对所述半导体衬底的表面进行处理，以在所述半导体衬底的表面形成粗糙的氧化层。该粗糙的氧化层可以使掩膜层在衬底表面的流动速度相对减缓，在凸起结构和衬底表面的高低落差处掩膜层的厚度之间的差异减小，进而改善掩膜层对曝光能力的反馈的一致性，改善后续形成的源极/漏极关键尺寸的一致性，并且能够增加半导体衬底表面和掩膜层之间的粘附性。