隔离结构及其形成方法

Invention Grant

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Patent Title: 隔离结构及其形成方法
Application No.: CN201710755689.2

Application Date: 2017-08-29
Publication No.: CN109427686B

Publication Date: 2021-04-13
Inventor: 冯立伟
Applicant: 联华电子股份有限公司 , 福建省晋华集成电路有限公司
Applicant Address: 中国台湾新竹市;
Assignee: 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
Current Assignee: 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
Current Assignee Address: 中国台湾新竹市;
Agency: 北京市柳沈律师事务所
Agent 陈小雯
Main IPC: H01L21/8242
IPC: H01L21/8242 ; H01L27/108

Abstract:

本发明公开一种隔离结构及其形成方法。半导体元件中隔离结构的形成方法，其步骤包含形成具有多个芯轴以及一周边部分围绕着该些芯轴的第一掩模层、在第一掩模层的侧壁上形成间隔壁、在该些间隔壁之间的空间中填入第二掩模层、移除该些间隔壁以形成开口图案、以第一掩模层与第二掩模层为蚀刻掩模进行一蚀刻工艺，以在基底中形成沟槽、以及在沟槽中填入绝缘材料以形成隔离结构。

Public/Granted literature

CN109427686A 隔离结构及其形成方法 Public/Granted day:2019-03-05

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232	......场效应工艺
H01L21/8234	.......MIS工艺
H01L21/8239	........存储器结构
H01L21/8242	.........动态随机存取存储结构（DRAM）