Invention Publication
- Patent Title: 等离子体处理装置
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Application No.: CN201811125428.3Application Date: 2018-09-26
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Publication No.: CN109559968APublication Date: 2019-04-02
- Inventor: 高桥秀一 , 宫馆孝明 , 高栖纪尚 , 伊藤悦治 , 横田聪裕 , 奥西直彦
- Applicant: 东京毅力科创株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 东京毅力科创株式会社
- Current Assignee: 东京毅力科创株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京林达刘知识产权代理事务所
- Agent 刘新宇
- Priority: 2017-185071 2017.09.26 JP
- Main IPC: H01J37/32
- IPC: H01J37/32

Abstract:
本发明提供一种能够使等离子体密度的分布均匀化的等离子体处理装置。一个实施方式的等离子体处理装置在腔室主体的内部空间中具有载置台,该载置台包括下部电极。在载置台的上方设置有上部电极。上部电极经由供电导体而与第一高频电源电连接。下部电极与第二高频电源电连接。在腔室主体的上方,以覆盖上部电极的方式设置有接地导体。供电导体经过由接地导体围成的空间而向上方延伸。在接地导体的上端的靠内部空间的一侧提供外部空间。外部空间在上方与上部电极隔开间隔,并且在该外部空间与上部电极之间隔着接地导体。在该外部空间中配置有电磁体。
Public/Granted literature
- CN109559968B 等离子体处理装置 Public/Granted day:2021-04-13
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