一种3D NAND存储器的形成方法，包括：半导体衬底，半导体衬底上形成有所述堆叠结构包括若干交替层叠的牺牲层和隔离层，堆叠结构中具有连通第一沟道孔和第二沟道孔，且所述第二沟道孔相对于第一沟道孔存在对准偏移，在所述第一沟道孔和第二沟道孔的交界处形成台阶，所述的第一沟道孔中填充满牺牲材料层；在所述第二沟道孔的侧壁形成侧墙；刻蚀所述第一沟道孔使得第一沟道孔的宽度变宽，使得台阶的宽度变小；在第一沟道孔和第二沟道孔侧壁和底部上形成电荷存储层；在电荷存储层上形成沟道孔牺牲层；依次刻蚀第一沟道孔底部上的沟道孔牺牲层和电荷存储层，形成开口。本发明的方法防止台阶处的电荷存储层被刻断或损伤，从而防止存储器失效。