Invention Publication
- Patent Title: 一种纳米硅材料的制备方法及其应用
- Patent Title (English): Preparation method for nano silicon material and application thereof
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Application No.: CN201910043744.4Application Date: 2019-01-17
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Publication No.: CN109860548APublication Date: 2019-06-07
- Inventor: 涂飞跃 , 汤刚 , 杨乐之 , 陈涛 , 黎天保 , 殷敖 , 彭青姣 , 王艳华 , 覃事彪
- Applicant: 长沙矿冶研究院有限责任公司
- Applicant Address: 湖南省长沙市岳麓区麓山南路966号
- Assignee: 长沙矿冶研究院有限责任公司
- Current Assignee: 长沙矿冶研究院有限责任公司
- Current Assignee Address: 湖南省长沙市岳麓区麓山南路966号
- Agency: 长沙朕扬知识产权代理事务所
- Agent 魏龙霞
- Main IPC: H01M4/36
- IPC: H01M4/36 ; H01M4/38 ; H01M4/62 ; H01M10/0525 ; B82Y30/00

Abstract:
本发明公开了一种纳米硅材料的制备方法,包括以下步骤:(1)将粗硅浆料进行研磨得到微米级硅粉浆料;(2)在所述微米级硅粉浆料中加入碳材料进行研磨,得到纳米级硅粉浆料;(3)将所述纳米级硅粉浆料进行烘干、破碎、过筛、除磁处理,得到纳米硅材料。本发明的制备方法过程中,添加碳材料作为研磨介质,一方面可促进颗粒状研磨更细;另一方面,碳材料替代传统分散剂,有效避免纳米硅颗粒之间硬团聚现象的产生,减少分散剂残留,有效的提升材料导电性,进一步提升材料电化学性能。
Public/Granted literature
- CN109860548B 一种纳米硅材料的制备方法及其应用 Public/Granted day:2021-04-13
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