本发明尤其涉及双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构：在P衬底内设置有第一N型掺杂区、P型掺杂区和第二N型掺杂区；在第一N型掺杂区内设置有第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区，且，第二N型重掺杂区位于第一N型掺杂区和P型掺杂区的交界处；在第二N型掺杂区内从左到右依次设置有第三N型重掺杂区、第四N型重掺杂区和第二P型重掺杂区，第三N型重掺杂区位于P型掺杂区和第二N型掺杂区的交界处；栅氧化层覆盖在P型掺杂区的表面且位于第二N型重掺杂区和第三N型重掺杂区之间；第一引出电极的一端分别与第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区连接，第二引出电极的一端分别与第四N型重掺杂区和第二P型重掺杂区连接。