本发明涉及栅极的制造方法，涉及半导体集成电路制造方法，在栅极的制造过程中，形成接触孔刻蚀停止层和层间膜，首先以高度最高的接触孔刻蚀停止层为停止层对层间膜进行化学机械研磨并实现第一次平坦化；接着进行干刻工艺去除栅极上的氧化层实现第二次平坦化，并且向下过刻蚀层间膜直至打开位于层间膜内的至少一空洞，之后再填充氧化层组成的层间膜，则层间膜将栅极之间的间隙和空洞完全填充并延伸到所述栅极的顶部，之后进行以多晶硅栅为停止层的第三次平坦化工艺，如此提高了栅极高度的一致性，并改善孔洞问题，且不损伤源漏极的结构，从而提高芯片性能。