Invention Grant
- Patent Title: 用于校验版图中的图案偏移的装置和方法
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Application No.: CN201910278042.4Application Date: 2019-04-09
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Publication No.: CN109979843BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 汤茂亮 , 柯天麒 , 王阳阳 , 刘少东
- Applicant: 德淮半导体有限公司
- Applicant Address: 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
- Assignee: 德淮半导体有限公司
- Current Assignee: 淮安西德工业设计有限公司
- Current Assignee Address: 223001 江苏省淮安市淮阴区钱江路南侧、市振达钢管公司东侧6幢318室
- Agency: 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- Agent 韩晓薇
- Main IPC: H01L21/66
- IPC: H01L21/66
Abstract:
本公开涉及校验版图中的图案偏移的方法和装置。本公开提供了一种校验版图中的图案偏移的方法，包括：测量版图中的至少一对相邻金属氧化物半导体场效应管MOSFET中的漏极电流；比较每一对MOSFET中的两个MOSFET中的漏极电流；以及基于比较结果，判定该对MOSFET共用的多晶栅极对应的版图图案相对于该对MOSFET的有源区是否存在偏移。
Public/Granted literature
- CN109979843A 用于校验版图中的图案偏移的装置和方法 Public/Granted day:2019-07-05
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IPC分类:
