Invention Grant
- Patent Title: 半导体结构及用于制造半导体结构的方法
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Application No.: CN201811397161.3Application Date: 2018-11-22
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Publication No.: CN109994500BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 庄学理 , 黄胜煌 , 郭耿铭 , 王宏烵
- Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
- Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
- Agency: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- Agent 蒋林清
- Priority: 62/590,465 20171124 US 15/962,434 20180425 US
- Main IPC: H01L27/22
- IPC: H01L27/22 ; H01L43/08 ; H01L43/12
Abstract:
本揭露实施例涉及半导体结构及用于制造半导体结构的方法。本揭露提供一种半导体结构，其包含逻辑区及存储器区。所述存储器区包含：第N金属层的第一第N金属线；磁性穿隧结MTJ，其在第一第N金属线上方；碳基层，其介于所述第一第N金属线与所述MTJ之间；及第N+M金属层的第一第N+M金属通孔。也公开一种用于制造所述半导体结构的方法。
Public/Granted literature
- CN109994500A 半导体结构及用于制造半导体结构的方法 Public/Granted day:2019-07-09
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IPC分类:
