本发明提出了一种具有电荷补偿层和低阻通道的VDMOS及其制作方法，该器件设置N+电流通道，纵向贯穿N型外延层的对称中心，上、下两端分别与栅氧化层、N+型衬底相接；并在N型外延层内部、两处P型基区的下方区域分别设置有相同半导体材料的P型电荷补偿层。器件导通时，重掺杂形成的N+电流通道改变了传统器件中的电流传输路径，而且电流分布几乎不受电荷补偿层的影响，这样大幅降低了器件的导通电阻。器件关断时，P型电荷补偿层辅助耗尽N+电流通道，同时产生的新电场峰优化了器件的纵向电场。