Invention Grant
- Patent Title: 图像传感器及其形成方法
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Application No.: CN201910358075.XApplication Date: 2019-04-30
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Publication No.: CN110061022BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 魏代龙
- Applicant: 德淮半导体有限公司
- Applicant Address: 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
- Assignee: 德淮半导体有限公司
- Current Assignee: 淮安西德工业设计有限公司
- Current Assignee Address: 223001 江苏省淮安市淮阴区钱江路南侧、市振达钢管公司东侧6幢318室
- Agency: 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- Agent 欧阳帆
- Main IPC: H01L27/146
- IPC: H01L27/146

Abstract:
本公开涉及图像传感器及其形成方法。提供了一种图像传感器,其包括衬底和设置在衬底中的至少一个像素单元,每个像素单元包括:栅极结构,包括嵌入在衬底中的栅极以及设置在衬底中并且围绕栅极的底面和侧面的栅极电介质层;彼此分离地设置在衬底中邻近上表面处的多个浮置扩散区,围绕栅极结构并且与栅极电介质层接触;彼此分离地设置在衬底中的多个光电二极管,与多个浮置扩散区一一对应地设置在其下方并且与栅极电介质层接触,其中每个浮置扩散区具有第一掺杂类型,并且每个光电二极管包括具有第一掺杂类型的第一区域;以及多个沟道形成区,每个沟道形成区设置在相应一个浮置扩散区与相应一个光电二极管的第一区域之间,并且具有第二掺杂类型。
Public/Granted literature
- CN110061022A 图像传感器及其形成方法 Public/Granted day:2019-07-26
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IPC分类: