Invention Grant
- Patent Title: 晶片接合方法
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Application No.: CN201910358104.2Application Date: 2019-04-30
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Publication No.: CN110085515BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 周娴 , 晁阳 , 黄晓橹
- Applicant: 德淮半导体有限公司
- Applicant Address: 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
- Assignee: 德淮半导体有限公司
- Current Assignee: 淮安西德工业设计有限公司
- Current Assignee Address: 223001 江苏省淮安市淮阴区钱江路南侧、市振达钢管公司东侧6幢318室
- Agency: 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- Agent 刘倜
- Main IPC: H01L21/18
- IPC: H01L21/18

Abstract:
本公开涉及晶片接合方法。提供了一种晶片接合方法,其包括:提供第一晶片和第二晶片,所述第一晶片在第一表面具有第一金属层和第一绝缘层,所述第二晶片在第一表面具有第二金属层和第二绝缘层,所述第一金属层和所述第二金属层包括相同的金属材料;对所述第一晶片和所述第二晶片中的一者或两者进行预处理,以使得在所述第一金属层和所述第二金属层中对应的一者或两者的表面处形成所述金属材料的晶须;以及将第一金属层和第二金属层以彼此面对的方式接合所述第一金属层和第二金属层,以接合所述第一晶片和第二晶片。
Public/Granted literature
- CN110085515A 晶片接合方法 Public/Granted day:2019-08-02
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IPC分类: