Invention Grant
- Patent Title: 一种电磁铁状态检测电路及检测方法
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Application No.: CN201910488105.9Application Date: 2019-06-05
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Publication No.: CN110118949BPublication Date: 2024-04-12
- Inventor: 杨跞 , 李庚益 , 程小猛 , 胡永璐 , 陈宏伟
- Applicant: 中科新松有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区金藏路351号11幢西101室、201室
- Assignee: 中科新松有限公司
- Current Assignee: 中科新松有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区金藏路351号11幢西101室、201室
- Agency: 北京永创新实专利事务所
- Agent 姜荣丽
- Main IPC: G01R33/12
- IPC: G01R33/12

Abstract:
本发明公开了一种电磁铁状态检测电路及检测方法,属于电学技术领域。所述的检测电路包括微处理器U1、P沟道MOSFET Q1、Q2、MOSFET驱动电路和电流采样电路。所述的微处理器U1具有两路I/O信号Brake_Ctrl1和Brake_Ctrl2,还具有一个ADC采样端口Brake_Current。Q1的漏极连接二极管D1的阳极,二极管D1的阴极连接电磁铁B1输入端;电磁铁B1的输出端连接电流采样电路中的电阻R7后接地GND;Brake_Ctrl2连接到Q2的栅极;当Brake_Ctrl1为高电平时,Q1导通,当Brake_Ctrl2为高电平时,Q2导通。当电磁铁通过电流后,如果电磁铁的铁芯被机械卡住或者电磁铁吸力不够时,传统的方法无法检测电磁铁状态,可能给系统带来隐患;利用本发明可以在任意时刻检测电磁铁执行后的状态,从而控制机构能根据检测到的状态采取应对措施。
Public/Granted literature
- CN110118949A 一种电磁铁状态检测电路及检测方法 Public/Granted day:2019-08-13
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