本发明公开了一种硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，包括步骤：步骤一、提供硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产线，混合生产线是在硅半导体产品的生产线的设备增加氮化镓产品的专用生产设备组成；步骤二、进行混合生产，在混合生产中，氮化镓产品的生产步骤包括：步骤21、提供晶圆；步骤22、采用氮化镓产品的专用生产设备在晶圆上形成具有镓含量的外延层；步骤23、在完成所有具有镓含量的外延层后，在晶圆背面形成镓扩散隔离层以防止晶圆的背面区域中的镓向外扩散。本发明能降低氮化镓产品的生产成本，还能实现氮化镓产品和硅半导体产品的集成。