本发明提供一种氮化硅膜和半导体器件的制造方法，将原有的一步沉积改为多步沉积，先通过第一氮源气体和第一硅源气体反应，在一基底的表面上沉积形成第一氮化硅层，其中的第一氮源气体来不及与基底发生反应，由此可以防止基底表面的损坏，然后通过包含氨气的第二氮源气体与第二硅源气体反应在所述第一氮化硅层的表面上沉积形成第二氮化硅层，利用所述第二氮化硅层的沉积速率大于所述第一氮化硅层的沉积速率的特点，来改善氮化硅膜层的沉积速率和台阶覆盖率；进一步的，所述第一氮源气体中不含氨气而含有氮气，所述第二氮源气体中含有氨气和氮气，利用氨气在沉积表面上具有弱的氢键和一定的物理吸附的特点，来改善氮化硅膜的沉积速率和台阶覆盖率。