本发明提供了一种复合结构增强的QLED器件及其制备方法，通过纳米网格结构复合褶皱结构构筑的微纳米结构复合结构来提高正型QLED器件出光效率。构筑复合结构基于纳米压印技术、微贴附技术以及表面等离子体刻蚀技术，包括纳米压印模板的制备以及对转移后的图案再次进行处理。本发明通过纳米压印技术使IPS聚合物作为纳米压印的模板，并通过微贴附技术将模板图案转移至PDMS介质层上，再以此为基础，采用表面等离子体刻蚀技术在玻璃基底上构筑复合结构增强QLED基底出光。本发明的复合结构增强的QLED器件可以拥有最高的亮度与效率，亮度和EQE较常规器件最高均提升了46%；复合结构的构筑方式简单、成本低廉，有利于产业化的推广应用。