Invention Grant
- Patent Title: 三维存储器器件及用于形成其的方法
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Application No.: CN201880005615.XApplication Date: 2018-03-01
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Publication No.: CN110121779BPublication Date: 2020-09-25
- Inventor: 吕震宇 , 陈俊 , 朱继锋 , 胡禺石 , 陶谦 , S·S-N·杨 , S·W·杨
- Applicant: 长江存储科技有限责任公司
- Applicant Address: 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
- Assignee: 长江存储科技有限责任公司
- Current Assignee: 长江存储科技有限责任公司
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
- Agency: 北京永新同创知识产权代理有限公司
- Agent 张殿慧; 刘健
- Priority: 201710716657.1 2017.08.21 CN
- International Application: PCT/CN2018/077750 2018.03.01
- International Announcement: WO2019/037403 EN 2019.02.28
- Date entered country: 2019-06-28
- Main IPC: H01L27/11578
- IPC: H01L27/11578 ; H01L27/11524
Abstract:
公开了三维(3D)存储器器件的实施例及用于形成该3D存储器器件的方法。在一个示例中，NAND存储器器件包括衬底、一个或多个在衬底上的外围器件、多个在该一个或多个外围器件上的NAND串、在NAND串上方且与其接触的单晶硅层、以及形成于外围器件以及NAND串之间的互连层。在某些实施例中，NAND存储器器件包括键合界面，阵列互连层在该键合界面处接触外围互连层。
Public/Granted literature
- CN110121779A 三维存储器器件及用于形成其的方法 Public/Granted day:2019-08-13
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IPC分类:
