一种栅控双极-场效应复合元素半导体基横向双扩散金属氧化物半导体晶体管

Invention Publication

CN110212032A 一种栅控双极-场效应复合元素半导体基横向双扩散金属氧化物半导体晶体管有权

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Patent Title: 一种栅控双极-场效应复合元素半导体基横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
Application No.: CN201910470309.X

Application Date: 2019-05-31
Publication No.: CN110212032A

Publication Date: 2019-09-06
Inventor: 段宝兴 , 董自明 , 杨银堂
Applicant: 西安电子科技大学
Applicant Address: 陕西省西安市太白南路2号
Assignee: 西安电子科技大学
Current Assignee: 西安电子科技大学
Current Assignee Address: 陕西省西安市太白南路2号
Agency: 西安智邦专利商标代理有限公司
Agent 胡乐
Main IPC: H01L29/78
IPC: H01L29/78 ; H01L29/06

Abstract:

本发明公开一种栅控双极-场效应复合元素半导体基横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，该器件的衬底为元素半导体材料，所述基区接触的表面形成基极，所述基极与源极隔离，与栅极电连接，满足：栅极接入电压时，基区获得的电压使得器件寄生的双极型晶体管开启，代替传统的元素半导体横向双扩散晶体管中基区与源区短接的电极连接方式。与传统器件相比，本发明在保证器件具有相同击穿电压的同时，大幅度提高器件的导通电流，降低器件的导通电阻。

Public/Granted literature

CN110212032B 一种栅控双极-场效应复合元素半导体基横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 Public/Granted day:2021-04-13

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Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的