Invention Grant
- Patent Title: 碳化硅衬底和用于生长SiC单晶锭的方法
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Application No.: CN201880013241.6Application Date: 2018-03-07
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Publication No.: CN110325670BPublication Date: 2021-07-16
- Inventor: 迈克尔·沃格尔 , 伯恩哈德·埃克 , 拉尔夫·穆勒 , 马提亚斯·施托克迈尔 , 阿恩德-迪特里希·韦伯
- Applicant: 硅晶体有限公司
- Applicant Address: 德国纽伦堡
- Assignee: 硅晶体有限公司
- Current Assignee: 硅晶体有限公司
- Current Assignee Address: 德国纽伦堡
- Agency: 北京同达信恒知识产权代理有限公司
- Agent 石磊; 潘雪
- Priority: 17163519.6 20170329 EP
- International Application: PCT/EP2018/055597 2018.03.07
- International Announcement: WO2018/177706 EN 2018.10.04
- Date entered country: 2019-08-21
- Main IPC: C30B23/00
- IPC: C30B23/00 ; C30B29/36
Abstract:
本发明涉及一种具有改进的机械特性和电学特性的碳化硅(SiC)衬底。此外，本发明涉及用于在物理气相传输生长系统中生产块状SiC晶体的方法。碳化硅衬底包括构成所述衬底(100)的总表面积的至少30％的内部区域(102)，以及径向围绕内部区域(102)的环形外周区域(104)，其中，内部区域(102)中的掺杂剂的平均浓度与外周区域(104)中的该掺杂剂的平均浓度相差最大5×1018cm‑3、优选1×1018cm‑3。
Public/Granted literature
- CN110325670A 碳化硅衬底和用于生长SiC单晶锭的方法 Public/Granted day:2019-10-11
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