Invention Grant
- Patent Title: 用于制造环绕式接触部的金属化学气相沉积方法和结果得到的结构
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Application No.: CN201780087776.3Application Date: 2017-03-30
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Publication No.: CN110326088BPublication Date: 2025-01-21
- Inventor: J.S.莱布 , D.B.贝里斯特隆 , C.J.魏根德
- Applicant: 英特尔公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 英特尔公司
- Current Assignee: 英特尔公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 陈晓; 杨美灵
- International Application: PCT/US2017/025002 2017.03.30
- International Announcement: WO2018/182614 EN 2018.10.04
- Date entered country: 2019-08-30
- Main IPC: H01L21/285
- IPC: H01L21/285 ; H01L21/205 ; H01L21/768 ; H01L21/66
Abstract:
描述了用于制造环绕式接触部的金属化学气相沉积方法，以及具有环绕式金属接触部的半导体结构。在示例中，一种集成电路结构包括在衬底上方的半导体特征。介电层在半导体特征之上，所述介电层具有暴露半导体特征的一部分的沟槽，所述部分具有非平坦形貌。金属接触部材料直接在半导体特征的所述部分上。金属接触部材料与半导体特征的所述部分的非平坦形貌共形。金属接触部材料具有包括95%或更大的单金属种类的总原子组成。
Public/Granted literature
- CN110326088A 用于制造环绕式接触部的金属化学气相沉积方法和结果得到的结构 Public/Granted day:2019-10-11
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IPC分类:
