Invention Grant
- Patent Title: 功率模块、反向导通IGBT及驱动电路
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Application No.: CN201880014955.9Application Date: 2018-08-02
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Publication No.: CN110352548BPublication Date: 2021-03-02
- Inventor: 佐藤茂树
- Applicant: 富士电机株式会社
- Applicant Address: 日本神奈川县川崎市
- Assignee: 富士电机株式会社
- Current Assignee: 富士电机株式会社
- Current Assignee Address: 日本神奈川县川崎市
- Agency: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- Agent 张欣; 金玉兰
- Priority: 2017-178412 2017.09.15 JP
- International Application: PCT/JP2018/029143 2018.08.02
- International Announcement: WO2019/054078 JA 2019.03.21
- Date entered country: 2019-08-30
- Main IPC: H02M1/08
- IPC: H02M1/08 ; H01L21/822 ; H01L27/04 ; H01L29/739 ; H01L29/78 ; H03K17/04 ; H03K17/16 ; H03K17/56

Abstract:
本发明提供能够提高反向导通IGBT的控制性的功率模块、反向导通IGBT和驱动电路。上述功率模块具备:功率半导体芯片(3),其在同一芯片内形成有IGBT(31)和续流二极管(32);以及驱动电路(2),其与功率半导体芯片(3)连接,对IGBT(31)进行导通/关断驱动,上述功率模块(1)是将功率半导体芯片(3)和驱动电路(2)封装化而成的功率模块,上述功率模块还具备串联配置在IGBT(31)的发射极与驱动电路(2)的接地之间的电容器CP和开关元件(23),在驱动电路(2)使IGBT31进行关断开关动作的情况下,开关元件(23)使发射极与接地之间导通。
Public/Granted literature
- CN110352548A 功率模块、反向导通IGBT及驱动电路 Public/Granted day:2019-10-18
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