公开(公告)号：CN117957774A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202380013528.X

申请日：2023-03-02

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐藤茂树

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/00 ,  H03K17/08 ,  H03K17/16 ,  H02M1/00 ,  H02M1/08

Abstract: 本发明提供抑制在从电流监测用功率半导体元件输出的感测电流的检测信号中产生的振荡的半导体装置和过电流保护装置。主IGBT(1a)和感测IGBT(1b)的集电极经由端子(C)与电源电压连接。主IGBT(1a)的发射极经由端子(E)与负载(2)连接。感测IGBT(1b)的感测发射极与端子(SE)连接。主IGBT(1a)的栅极与电容(C0)的一端和端子(G)连接，电容(C0)的另一端与感测IGBT(1b)的栅极连接。感测IGBT(1b)在有基于驱动信号(s0)的主IGBT(1a)的导通指示的情况下，从集电极朝向感测发射极流通与在主IGBT(1a)流通的电流成比例的感测电流。

公开(公告)号：CN110352548A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201880014955.9

申请日：2018-08-02

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐藤茂树

IPC: H02M1/08 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H03K17/04 ,  H03K17/16 ,  H03K17/56

Abstract: 本发明提供能够提高反向导通IGBT的控制性的功率模块、反向导通IGBT和驱动电路。上述功率模块具备：功率半导体芯片(3)，其在同一芯片内形成有IGBT(31)和续流二极管(32)；以及驱动电路(2)，其与功率半导体芯片(3)连接，对IGBT(31)进行导通/关断驱动，上述功率模块(1)是将功率半导体芯片(3)和驱动电路(2)封装化而成的功率模块，上述功率模块还具备串联配置在IGBT(31)的发射极与驱动电路(2)的接地之间的电容器CP和开关元件(23)，在驱动电路(2)使IGBT31进行关断开关动作的情况下，开关元件(23)使发射极与接地之间导通。

公开(公告)号：CN105874602B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201580003528.7

申请日：2015-06-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐藤茂树

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0658 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/16 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 通过在与第一IGBT单元组(12)的第一栅极(8)连接的第一栅极流道(14)和与第二IGBT单元组(13)的第二栅极(9)连接的第二栅极流道(15)之间连接电容器(18)，能够使半导体装置(100)的导通、关断时的di/dt平缓。如此，能够提供减小栅极驱动电力，从而能够抑制导通、关断时的电流、电压的波动的半导体装置。

公开(公告)号：CN117981224A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202380013539.8

申请日：2023-04-05

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐藤茂树

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/00

Abstract: 以适当的电压对负载工作用功率半导体元件和电流监测用功率半导体元件的栅极进行充电。主IGBT(1a)和感测IGBT(1b)的集电极经由端子(C)与电源电压连接。主IGBT(1a)的发射极经由端子(E)与负载(3)连接。分压电路(1c)连接在主IGBT(1a)的栅极与感测IGBT(1b)的感测发射极之间，将向主IGBT(1a)的栅极施加的驱动信号(s0)的电压分压并施加到感测IGBT(1b)的栅极。主IGBT(1a)的栅极与端子(G)以及电阻(Rdiv1)的一端连接。电阻(Rdiv1)的另一端与感测IGBT(1b)的栅极以及电阻(Rdiv2)的一端连接。电阻(Rdiv2)的另一端与感测IGBT(1b)的感测发射极以及端子(SE)连接。

公开(公告)号：CN105874602A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201580003528.7

申请日：2015-06-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐藤茂树

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0658 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/16 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 通过在与第一IGBT单元组(12)的第一栅极(8)连接的第一栅极流道(14)和与第二IGBT单元组(13)的第二栅极(9)连接的第二栅极流道(15)之间连接电容器(18)，能够使半导体装置(100)的导通、关断时的di/dt平缓。如此，能够提供减小栅极驱动电力，从而能够抑制导通、关断时的电流、电压的波动的半导体装置。

公开(公告)号：CN103460367B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201280017290.X

申请日：2012-02-17

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐藤茂树

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: G01R31/2608 ,  H01L22/14 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及功率开关的晶片测试方法，能简单与实际工作状态同样地测定主IGBT流过的主电流与电流检测用IGBT流过的检测电流的电流比。主IGBT（1）和检测主IGBT（1）的电流值的电流检测用IGBT（2）在同一个半导体衬底上集成形成的功率开关的晶片测试方法中，设置使电流检测用IGBT的发射极电流流过主IGBT的发射极端子（6）的电阻单元，使主IGBT和电流检测用IGBT同时导通并对主IGBT和电流检测用IGBT的共用集电极端子施加恒定电流，根据由电阻单元的两端电压求出的电流检测用IGBT中流过的电流和恒定电流，计算主IGBT的主电流与电流检测用IGBT的检测电流的电流比（主电流/检测电流）。

公开(公告)号：CN119181685A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202410509324.1

申请日：2024-04-26

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐藤茂树

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/683 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其解决如下问题：在半导体装置的制造工序中，有时保护膜上的焊料飞散而附着于电极。所述半导体装置具备：第一电极，其配置于半导体基板的上方；保护膜，其具有设置于比所述第一电极更靠上方的位置的部分；焊料部，其在与所述第一电极的上表面平行的第一方向上夹着所述保护膜而配置；引线框，其通过所述焊料部被固定并配置于所述保护膜的上方；以及第二电极，在将所述保护膜的宽度设为W1，将所述保护膜的长度设为L1，将所述保护膜的表面的算术平均粗糙度设为Ra，将飞散指数设为I，将所述保护膜与所述第二电极之间的距离设为Dmin的情况下，满足下式：I＝((Ra/4)×L1)/(2×(W1×W1/π)0.5)，Dmin＞2.583×I‑16599。

公开(公告)号：CN117918050A

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202380013535.X

申请日：2023-04-06

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐藤茂树

IPC: H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H03K17/00 ,  H03K17/08

Abstract: 抑制从电流监测用功率半导体元件输出的感测电流的检测信号产生的振荡。电压控制电路(1c)包括用于对施加到电流监测元件(1b)的栅极的栅极电压进行充电的二极管(D1)以及用于对栅极电压进行放电的二极管(D2)，并控制电流监测元件(1b)的栅极电压。输出元件(1a)的集电极和电流监测元件(1b)的集电极通过端子(C)与电源电压连接。输出元件(1a)的发射极经由端子(E)与负载(2)连接。电流监测元件1b的感测发射极与端子(SE)连接。二极管(D1)的阳极与输出元件(1a)的栅极和二极管(D2)的阴极连接，二极管(D1)的阴极与二极管(D2)的阳极以及电流监测元件(1b)的栅极连接。

公开(公告)号：CN110352548B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201880014955.9

申请日：2018-08-02

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐藤茂树

IPC: H02M1/08 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H03K17/04 ,  H03K17/16 ,  H03K17/56

Abstract: 本发明提供能够提高反向导通IGBT的控制性的功率模块、反向导通IGBT和驱动电路。上述功率模块具备：功率半导体芯片(3)，其在同一芯片内形成有IGBT(31)和续流二极管(32)；以及驱动电路(2)，其与功率半导体芯片(3)连接，对IGBT(31)进行导通/关断驱动，上述功率模块(1)是将功率半导体芯片(3)和驱动电路(2)封装化而成的功率模块，上述功率模块还具备串联配置在IGBT(31)的发射极与驱动电路(2)的接地之间的电容器CP和开关元件(23)，在驱动电路(2)使IGBT31进行关断开关动作的情况下，开关元件(23)使发射极与接地之间导通。

公开(公告)号：CN103460367A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280017290.X

申请日：2012-02-17

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐藤茂树

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: G01R31/2608 ,  H01L22/14 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及功率开关的晶片测试方法，能简单与实际工作状态同样地测定主IGBT流过的主电流与电流检测用IGBT流过的检测电流的电流比。检测主IGBT（1）的电流值的电流检测用IGBT（2）在同一个半导体衬底上集成形成的功率开关的晶片测试方法中，设置使电流检测用IGBT的发射极电流流过主IGBT的发射极端子（6）的电阻单元，使主IGBT和电流检测用IGBT同时导通并对主IGBT和电流检测用IGBT的共用集电极端子施加恒定电流，根据由电阻单元的两端电压求出的电流检测用IGBT中流过的电流和恒定电流，计算主IGBT的主电流与电流检测用IGBT的检测电流的电流比（主电流/检测电流）。