Invention Grant
- Patent Title: 一种良好电催化析氢性能的二氧化钼纳米线/纳米片薄膜阵列的制备方法
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Application No.: CN201910713671.5Application Date: 2019-08-02
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Publication No.: CN110359061BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 张勇 , 刘志民 , 魏浩山 , 崔接武 , 王岩 , 秦永强 , 舒霞 , 吴玉程
- Applicant: 合肥工业大学
- Applicant Address: 安徽省合肥市屯溪路193号
- Assignee: 合肥工业大学
- Current Assignee: 合肥工业大学
- Current Assignee Address: 安徽省合肥市屯溪路193号
- Agency: 北京轻创知识产权代理有限公司
- Agent 胡智勇
- Main IPC: C25B11/054
- IPC: C25B11/054 ; C25B11/077 ; C25B11/052 ; C25B1/04 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00

Abstract:
本发明公开了一种良好电催化析氢性能的二氧化钼纳米线/纳米片薄膜阵列的制备方法,包括如下步骤:称取0.6‑0.8g钼酸铵于烧杯中,再加入0.2‑0.3mL 30%过氧化氢和0.1‑0.3mL无水乙醇,加入去离子水至30mL,搅拌至全部溶解后,再将溶液置于聚四氟乙烯内胆中,向聚四氟乙烯内胆中放入2‑4cm钼网,将聚四氟乙烯内胆放入金属反应釜中并拧紧,置于水热烘箱中水热反应在150‑230℃下保温6‑15h,最后用去离子水反复洗涤几次样品,并于60℃下保温1h烘干,得到外观为墨黑色的二氧化钼纳米线/纳米片薄膜阵列。本发明合成的产物具有较大的比较面积、更多的活性位点,克服了氧化性导电性差的缺点。
Public/Granted literature
- CN110359061A 一种良好电催化析氢性能的二氧化钼纳米线/纳米片薄膜阵列的制备方法 Public/Granted day:2019-10-22
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