Invention Grant
CN110480027B 一种制备二维超薄硅片负载银纳米颗粒的方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种制备二维超薄硅片负载银纳米颗粒的方法
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Application No.: CN201910826447.7Application Date: 2019-08-29
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Publication No.: CN110480027BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 孙林 , 谢杰 , 黄松超 , 刘涛 , 吴俊 , 姜瑞雨 , 吴兵
- Applicant: 盐城工学院
- Applicant Address: 江苏省盐城市希望大道中路1号
- Assignee: 盐城工学院
- Current Assignee: 盐城工学院
- Current Assignee Address: 江苏省盐城市希望大道中路1号
- Agency: 南京经纬专利商标代理有限公司
- Agent 楼高潮
- Main IPC: B22F9/24
- IPC: B22F9/24 ; B22F1/00 ; C01B33/027 ; H01M4/36 ; H01M4/38 ; H01M10/0525

Abstract:
本发明公开了一种制备二维超薄硅片负载银纳米颗粒的方法,所述方法包括以下步骤:(1)将硅化钙置于浓盐酸中反应,过滤、洗涤、真空干燥得到Si6H6纳米片;(2)将硝酸银溶于能和Ag+形成络合作用的胺中,配成硝酸银胺溶液;(3)将Si6H6纳米片超声分散在有机溶剂中,加入硝酸银胺溶液,反应、过滤、洗涤,即得到二维超薄硅片表面负载银纳米颗粒的复合材料。该方法首先采用浓盐酸和层状化合物硅化钙反应生成Si6H6纳米片,然后加入到硝酸银和胺的络合物中,一步反应得到二维超薄硅片表面负载银纳米颗粒复合材料,步骤简洁,易于操作,制得的复合材料在高倍率锂离子电池领域有潜在的应用。
Public/Granted literature
- CN110480027A 一种制备二维超薄硅片负载银纳米颗粒的方法 Public/Granted day:2019-11-22
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