Invention Grant
- Patent Title: 发光元件及其制造方法
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Application No.: CN201910769459.0Application Date: 2016-04-22
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Publication No.: CN110491897BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 黄琮训 , 郭志忠 , 黄靖恩 , 丁绍滢
- Applicant: 新世纪光电股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾台南市善化区大利三路5号
- Assignee: 新世纪光电股份有限公司
- Current Assignee: 日亚化学工业株式会社
- Current Assignee Address: 日本德岛县
- Agency: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- Agent 罗英; 臧建明
- Priority: 62/151,380 20150422 US 62/192,054 20150713 US
- Main IPC: H01L27/15
- IPC: H01L27/15 ; H01L33/20

Abstract:
本发明提供一种发光元件及其制造方法,其中发光元件,包括基板以及第一发光单元。第一发光单元配置于基板上,且包括第一半导体层、第一发光层、及第二半导体层。第一半导体层配置于基板之上。第一发光层配置于第一半导体层与第二半导体层之间。其中,第一发光单元具有第一侧壁与第二侧壁,第一侧壁与基板之间具有第一夹角,第二侧壁与基板之间具有第二夹角,第一夹角小于第二夹角。一种发光元件的制造方法亦被提出。本发明以保留较多的有效发光面积,增加发光强度并改善芯片效率。
Public/Granted literature
- CN110491897A 发光元件及其制造方法 Public/Granted day:2019-11-22
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IPC分类: