本发明所提供的功率型半导体器件封装结构的制备工艺，通过设置柔性导电层及双面覆导电层的绝缘板，E电极不直接作用于芯片组件上，芯片组件的电流通过柔性导电层到达E电极，芯片组件的热量以垂直方式通过柔性导电层向散热工质传导(例如向四周的电极传热)，且第一导电凸起来承接柔性导电层，分散了作用于芯片组件上的压应力，柔性导电层对芯片组件焊接面实现较小的压应力，避免了较大的压力直接作用在芯片组件表面，减少了芯片组件温度循环时高压应力条件下的三向应力损伤，提高了连接可靠性，实现压力与导电和导热的解耦，最终提高了功率型半导体器件封装结构可靠性。