Invention Publication
- Patent Title: AlGaN基同质集成光电子芯片及其制备方法
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Application No.: CN201911273385.8Application Date: 2019-12-12
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Publication No.: CN110993737APublication Date: 2020-04-10
- Inventor: 黎大兵 , 贲建伟 , 孙晓娟 , 蒋科 , 石芝铭 , 贾玉萍
- Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- Applicant Address: 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
- Assignee: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- Current Assignee: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- Current Assignee Address: 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
- Agency: 深圳市科进知识产权代理事务所
- Agent 曹卫良
- Main IPC: H01L31/18
- IPC: H01L31/18 ; H01L31/153 ; H01L31/0352
Abstract:
本发明提供一种AlGaN基同质集成光电子芯片的制备方法，包括：选择C面具有斜切角的图形化衬底，所述斜切角的角度大于0.1°且小于90°；在图形化衬底上外延生长AlN模板；在AlN模板上生长AlGaN基器件结构；对图形化衬底上外延生长的AlGaN材料翼区以及台面区进行定位；在相应区域制备光探测器件、发光器件以及光波导结构，得到AlGaN基同质集成光电子芯片。上述方法可以提高电子芯片的工作效率。
Public/Granted literature
- CN110993737B AlGaN基同质集成光电子芯片及其制备方法 Public/Granted day:2021-04-13
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IPC分类:
