Invention Grant
- Patent Title: 引线框架及引线框架封装体
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Application No.: CN201911006332.XApplication Date: 2019-10-22
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Publication No.: CN111092065BPublication Date: 2024-07-30
- Inventor: 古野绫太 , 久保公彦
- Applicant: 株式会社三井高科技
- Applicant Address: 日本福冈县
- Assignee: 株式会社三井高科技
- Current Assignee: 株式会社三井高科技
- Current Assignee Address: 日本福冈县
- Agency: 北京路浩知识产权代理有限公司
- Agent 张晶; 谢顺星
- Main IPC: H01L23/495
- IPC: H01L23/495 ; H01L21/48

Abstract:
本发明提供一种引线框架,其具备基材与覆盖基材的表面层。表面层包含含有CuO作为主要成分的针状氧化物。由针状氧化物构成的表面层的厚度为30nm以上。针状氧化物的尖端部具有比基端部小的原子比率(Cu/O)。
Public/Granted literature
- CN111092065A 引线框架及引线框架封装体 Public/Granted day:2020-05-01
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IPC分类: