本发明提供一种TVS器件及其制造方法，所述TVS器件包括：第一掺杂类型半导体衬底；设置于半导体衬底上的第一第二掺杂类型深阱、第二第二掺杂类型深阱和第一掺杂类型深阱；设置于第一第二掺杂类型深阱中的第一第二掺杂类型重掺杂区；设置于第二第二掺杂类型深阱中的第一掺杂类型阱区和第一第一掺杂类型重掺杂区；设置于第一掺杂类型阱区中的第二第一掺杂类型重掺杂区和第二第二掺杂类型重掺杂区；位于第一掺杂类型阱区中和第二第二掺杂类型深阱中的第三第二掺杂类型重掺杂区；以及设置于第一掺杂类型阱区中的第一掺杂类型掺杂区。本发明提供的TVS器件结构简单，成本低廉，隔离效果好、电流泄放能力更强，电容更小。