Invention Grant
- Patent Title: 应变硅成长于不同版图特征下的改善方法
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Application No.: CN201911192674.5Application Date: 2019-11-28
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Publication No.: CN111218715BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 杨明仑 , 萧至廷 , 薛培堃
- Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
- Assignee: 上海华力集成电路制造有限公司
- Current Assignee: 上海华力集成电路制造有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
- Agency: 上海浦一知识产权代理有限公司
- Agent 戴广志
- Main IPC: H01L21/02
- IPC: H01L21/02
Abstract:
本发明公开了一种应变硅成长于不同版图特征下的改善方法，在硅衬底的钻石型孔洞刻蚀后,在该孔洞的内表面形成一层单晶硅薄膜。本发明能够有效改善LOD效应。
Public/Granted literature
- CN111218715A 应变硅成长于不同版图特征下的改善方法 Public/Granted day:2020-06-02
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IPC分类:
