一种图像传感器的抗弥散方法及图像传感器。所述抗弥散方法适用于CMOS图像传感器，所述CMOS图像传感器的每个像素单元包括N型晶体管，所述N型晶体管包括栅极和漏极，所述漏极包括第一电极和第二电极；所述抗弥散方法包括：在所述N型晶体管的所述漏极上施加第一抗弥散信号，所述第一抗弥散信号为高电平；在所述N型晶体管的所述第一电极上施加第二抗弥散信号，在图像的曝光与转移期间内，所述第二抗弥散信号为周期性信号；其中，在所述第二抗弥散信号的一个周期内，所述第二抗弥散信号在第一时间段内为第一电平，在第二时间段内为第二电平，所述第二抗弥散信号的周期小于所述曝光与转移期间。该方法减少了暗电流，提高输出图像质量。