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公开(公告)号：CN110783356B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201911071525.3
申请日：2019-11-05
Applicant: 锐芯微电子股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/353
Abstract: 一种时间延迟积分图像传感器及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括若干个像素区和若干个隔离区，且所述隔离区位于相邻像素区之间；在各个所述像素区内形成光电掺杂区，所述光电掺杂区内掺杂有第一离子；在各个所述隔离区内形成贯穿所述基底的隔离掺杂区，所述隔离掺杂区内掺杂有第二离子，所述第一离子和第二离子的导电类型相反。所述方法能够提高形成的时间延迟积分图像传感器的成像质量，从而性能较好。
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公开(公告)号：CN112310135B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202011119399.7
申请日：2020-10-19
Applicant: 锐芯微电子股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种传感器结构及传感器结构的形成方法，结构包括：若干芯片结构，若干所述芯片结构呈二维阵列排布；所述芯片结构包括相互键合的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片内具有传感器阵列，所述第二芯片内具有与传感器阵列电连接的电路结构。所述传感器结构可以实现任意面积的传感器需求。
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公开(公告)号：CN111757026A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010779476.5
申请日：2020-08-05
Applicant: 锐芯微电子股份有限公司
Abstract: 一种图像传感器像素结构。所述像素结构包括：光电转换电路、传输电路、开关电路、复位电路、第一电容及电荷泄放电路；其中：所述电荷泄放电路，耦接于所述第一电容及所述电源电压输出端之间，适于至少两个第二开关控制信号的控制下，将所述第一电容溢出的电荷泄放至所述电源电压输出端；所述至少两个第二开关控制信号具有不同的控制电压。应用上述方案，可以提高CMOS图像传感器的性能。
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公开(公告)号：CN112002719B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202010923210.3
申请日：2020-09-04
Applicant: 锐芯微电子股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/63 , H04N25/76
Abstract: 一种图像传感器的像素单元、图像传感器像素单元的形成方法及图像传感器像素单元的工作方法，像素单元包括：衬底，所述衬底包括像素区和逻辑区，所述像素区和逻辑区相邻；位于像素区内的第一光电掺杂区，所述衬底表面暴露出所述第一光电掺杂区表面，所述第一光电掺杂区内具有第一离子；位于像素区上的屏蔽栅极结构。所述图像传感器的抗辐射能力得到提升。
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公开(公告)号：CN117832246A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410044315.X
申请日：2024-01-11
Applicant: 锐芯微电子股份有限公司
IPC: H01L27/148 , H01L27/146 , H04N25/768
Abstract: 一种eCCD像素单元及其控制方法、TDI‑CMOS图像传感器。所述eCCD像素单元包括：衬底；位于所述衬底上方的栅氧化层；以及位于所述栅氧化层上方的多个分立的多晶硅电极；其中，各所述多晶硅电极在所述衬底中具有一一对应的沟道区域；所述多晶硅电极用于接收相应驱动电压信号，以使得电荷在沟道区域间沿预设电荷传输方向上传输；所述多晶硅电极的数量为8个或者16个。采用上述方案，可以提升TDI‑CMOS图像传感器的MTF效果及CTE性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112351229B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011228304.5
申请日：2020-11-06
Applicant: 锐芯微电子股份有限公司
IPC: H04N25/78 , H04N25/70 , H04N25/65 , H04N25/616
Abstract: 一种像素存储电路、像素读出电路及其时序控制方法，像素存储电路包括：光电二极管，其一端接地；传输开关管，其栅极接入传输控制信号，其源极耦接所述光电二极管的另一端；浮动扩散节点，其第一输入端耦接所述传输开关管的漏极；复位开关管，其栅极接入复位控制信号，其漏极接入电源电压，其源极耦接所述浮动扩散节点的第二输入端；像素信号存储模块，其输入端耦接所述浮动扩散节点的输出端，用以存储像素信号；复位信号存储模块，其输入端耦接所述像素信号存储模块的输出端，用以存储复位信号。本发明技术方案能够提升读取的像素信号质量。
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公开(公告)号：CN115458541A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211007736.2
申请日：2022-08-22
Applicant: 锐芯微电子股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/552
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，所述衬底包括基底、位于所述基底上的有源区、环绕所述有源区的屏蔽区、以及环绕所述屏蔽区的第一绝缘区，且所述第一绝缘区与所述屏蔽区相接触，部分所述有源区和所述屏蔽区之间还具有第二绝缘区，所述有源区包括相互分离的第一区和第二区，以及环绕所述第一区和所述第二区的第三区；位于所述第一区内的源极；位于所述第二区内的漏极；位于所述屏蔽区内的屏蔽结构，所述屏蔽结构内具有屏蔽离子；位于所述第三区上的栅极，且部分所述栅极还延伸至所述第二绝缘区上，减少相邻晶体管之间的漏电，同时满足逻辑电路设计要求。
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公开(公告)号：CN115394794A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211033541.5
申请日：2022-08-26
Applicant: 锐芯微电子股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器及其形成方法，其中图像传感器包括：衬底，衬底包括像素区和逻辑区；位于像素区内的第一光电掺杂区，衬底表面暴露出第一光电掺杂区表面；位于像素区上的屏蔽栅极结构；与第一光电掺杂区连接的电容结构，不同色彩种类的彩色像素单元中的电容结构的容值不同。像素区上具有屏蔽栅极结构，从而能够通过对屏蔽栅极结构加载工作电压减少暗电流的产生，以提升图像传感器的成像质量。根据不同色彩种类的彩色像素单元的需求调节对应的电容结构的容值，使得不同色彩种类的彩色像素单元均能够达到满阱状态，从而更好还原真实色彩，实现更好的图像质量。
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公开(公告)号：CN112310135A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011119399.7
申请日：2020-10-19
Applicant: 锐芯微电子股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种传感器结构及传感器结构的形成方法，结构包括：若干芯片结构，若干所述芯片结构呈二维阵列排布；所述芯片结构包括相互键合的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片内具有传感器阵列，所述第二芯片内具有与传感器阵列电连接的电路结构。所述传感器结构可以实现任意面积的传感器需求。
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公开(公告)号：CN111246134A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010050174.4
申请日：2020-01-16
Applicant: 锐芯微电子股份有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/372 , H04N5/361 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器的抗弥散方法及图像传感器。所述抗弥散方法适用于CMOS图像传感器，所述CMOS图像传感器的每个像素单元包括N型晶体管，所述N型晶体管包括栅极和漏极，所述漏极包括第一电极和第二电极；所述抗弥散方法包括：在所述N型晶体管的所述漏极上施加第一抗弥散信号，所述第一抗弥散信号为高电平；在所述N型晶体管的所述第一电极上施加第二抗弥散信号，在图像的曝光与转移期间内，所述第二抗弥散信号为周期性信号；其中，在所述第二抗弥散信号的一个周期内，所述第二抗弥散信号在第一时间段内为第一电平，在第二时间段内为第二电平，所述第二抗弥散信号的周期小于所述曝光与转移期间。该方法减少了暗电流，提高输出图像质量。
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