Invention Grant
- Patent Title: 半导体工艺反应腔室
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Application No.: CN202010097883.8Application Date: 2020-02-17
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Publication No.: CN111276384BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 王伟
- Applicant: 长江存储科技有限责任公司
- Applicant Address: 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- Assignee: 长江存储科技有限责任公司
- Current Assignee: 长江存储科技有限责任公司
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- Agency: 上海盈盛知识产权代理事务所
- Agent 董琳; 高翠花
- Main IPC: H01J37/32
- IPC: H01J37/32
Abstract:
本发明提供一种半导体工艺反应腔室，其包括：出气端，所述出气端设有一出气口；至少一气体吹扫管路，与所述出气口的侧壁连通，用于将具有一设定压强的气体自所述出气口的侧壁输入至所述出气口内，所述气体在所述出气口侧壁表面形成气层。本发明的优点在于，在所述出气口的侧壁上形成气层，所述气层能够防止所述反应副产物在所述出气口的侧壁堆积，从而避免堆积物对反应腔室内进行的半导体工艺产生影响。
Public/Granted literature
- CN111276384A 半导体工艺反应腔室 Public/Granted day:2020-06-12
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