Invention Grant
- Patent Title: 基于非晶(GaLu)2O3薄膜的日盲紫外光探测器
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Application No.: CN202010099288.8Application Date: 2020-02-18
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Publication No.: CN111276573BPublication Date: 2021-03-23
- Inventor: 何云斌 , 黄攀 , 黎明锴 , 王其乐 , 卢寅梅 , 常钢 , 瞿秋琳 , 李派
- Applicant: 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
- Applicant Address: 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号;
- Assignee: 湖北大学,武汉睿联智创光电有限公司
- Current Assignee: 湖北大学,武汉睿联智创光电有限公司
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号;
- Agency: 北京金智普华知识产权代理有限公司
- Agent 杨采良
- Main IPC: H01L31/18
- IPC: H01L31/18 ; H01L31/0216 ; H01L31/101 ; H01L31/032

Abstract:
本发明公开了一种基于非晶(GaLu)2O3薄膜的日盲紫外光探测器及其制备方法。所述探测器从下至上依次包括m面蓝宝石衬底、有源层、一对平行金属电极;所述有源层为非晶(GaLu)2O3薄膜。本发明利用Lu2O3与Ga2O3形成(GaLu)2O3合金,从而提高Ga2O3的光学带隙,更高带隙的(GaLu)2O3薄膜能够有效地降低器件的暗电流,并使截止波长蓝移至280nm以内。另外本发明在m面蓝宝石生长出非晶(GaLu)2O3薄膜,该薄膜中存在许多悬挂键及表面态,它们会作为复合中心加快器件的响应速度。得益于此,非晶(GaLu)2O3薄膜器件相对于纯Ga2O3器件,极大提高了其对深紫外光的探测能力。
Public/Granted literature
- CN111276573A 基于非晶(GaLu)2O3薄膜的日盲紫外光探测器 Public/Granted day:2020-06-12
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IPC分类: