Invention Publication
- Patent Title: 实现调制效率提高的Z切LNOI电光调制器及其应用
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Application No.: CN202010309287.1Application Date: 2020-04-17
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Publication No.: CN111487793APublication Date: 2020-08-04
- Inventor: 李金野 , 刘建国 , 戴双兴 , 李明轩 , 赵奕儒
- Applicant: 中国科学院半导体研究所
- Applicant Address: 北京市海淀区清华东路甲35号
- Assignee: 中国科学院半导体研究所
- Current Assignee: 中国科学院半导体研究所
- Current Assignee Address: 北京市海淀区清华东路甲35号
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 吴梦圆
- Main IPC: G02F1/03
- IPC: G02F1/03 ; G02F1/035

Abstract:
一种实现调制效率提高的Z切LNOI电光调制器及其应用,该Z切LNOI电光调制器包括衬底,其底部设有槽;绝缘层,其设置在衬底上;波导芯层,设置在绝缘层上,切向为Z切;上包层,设置在波导芯层上,用于和波导芯层形成折射率差从而限制光场的传输,同时作为上层电极的支撑结构;信号电极,设置在包层对应光学波导位置上,用于施加电信号形成电场对波导芯层中的光进行电光调制;以及地电极,其设置在槽内,与信号电极之间的电场沿着Z切LN的光轴方向。本发明实现了电场对光场的接近100%的超高效电光调制,进而极大降低调制器的半波电压,减小调制器功耗。
Public/Granted literature
- CN111487793B 实现调制效率提高的Z切LNOI电光调制器及其应用 Public/Granted day:2021-04-13
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