本发明公开了一种抗辐照粒子探测器，具备四阱工艺，分别是N阱、P阱、深N阱和深P隔离层，像素单元和读出电路均在深度掺杂的P型衬底上制作。其中，深N阱和P型衬底用来产生P‑N灵敏二极管，深N阱上的N阱和N型有源区(N+)构成通路，通过金属线连接其他读出电路。深P隔离层用来隔离深N阱内的器件，避免了PMOS晶体管与灵敏二极管之间的电荷竞争，在深P隔离层内可同时制作PMOS和NMOS管，能够实现复杂CMOS电路，这有助于在像素内实现复杂电路，对像素信号进行放大和降噪处理。N阱和P型有源区(P+)用于制作PMOS晶体管，P阱和N型有源区(N+)用于制作NMOS管。