本申请公开了一种适用于小间距显示屏的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层和生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括掺Mg预处理、生长InGaN盖层、生长InGaN阱层、生长H2气氛InGaN：Si层、生长N2气氛InGaN：Mg层、生长H2和N2混合气氛InGaN：Mg/Si层、生长InGaN保护层和生长GaN垒层的步骤。本发明方法解决现有LED外延生长中存在的LED发光波长蓝移量较大的问题，同时提高LED的发光效率，降低工作电压，增强抗静电能力。