Invention Publication
- Patent Title: 基于噪声测试表征SiC JBS的抗浪涌能力的方法
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Application No.: CN202010734350.6Application Date: 2020-07-27
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Publication No.: CN112098788APublication Date: 2020-12-18
- Inventor: 李本正 , 游海龙 , 李文臻 , 曲程
- Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
- Applicant Address: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- Assignee: 西安电子科技大学,西安电子科技大学芜湖研究院
- Current Assignee: 西安电子科技大学,西安电子科技大学芜湖研究院
- Current Assignee Address: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- Agency: 西安嘉思特知识产权代理事务所
- Agent 李园园
- Main IPC: G01R31/26
- IPC: G01R31/26 ; H01L29/872 ; H01L29/16

Abstract:
本发明公开了一种基于噪声测试表征SiC JBS的抗浪涌能力的方法,其特征在于,包括:获取第一SiC JBS二极管的初始电流与电压关系曲线、初始噪声特性参数;对第一SiC JBS二极管的电流施加预设次数的半正弦浪涌脉冲得到第二SiC JBS二极管;获取第二SiC JBS二极管的电流与电压关系曲线、噪声特性参数;得到电流与电压关系曲线的漂移程度和噪声特性参数漂移程度。本发明能够更敏感、更准确、更快速地表征SiC JBS二极管的浪涌损伤。
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