本发明公开了一种高强低损电缆导体材料，以质量百分比计，包括以下原料及配比：Ag：1.46～3.77％；W：2.9～4.3％；CuCe：2.8～4.7％；CuCr：5.7～9.6％；CuTi：2.9～4.3％；Cu：余量。本发明还公开了一种高强低损电缆导体材料的制备方法，包括如下步骤：合金熔炼、连铸连轧、压力加工和性能热处理。本发明还公开了一种高强低损电缆导体材料在电缆中的应用。本发明的高强低损电缆导体材料的晶界处形成连续分布的Cu51Ag14Ce7合金相，晶界周围弥散分布大量Cr2TiW合金相，使本发明具有高强度、高导电和低损耗等特性。