Invention Grant
- Patent Title: 一种表面晶粒定向生长的氮化硅陶瓷及其制备方法
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Application No.: CN201910809154.8Application Date: 2019-08-29
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Publication No.: CN112441838BPublication Date: 2022-05-13
- Inventor: 张景贤 , 段于森 , 刘宁
- Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
- Applicant Address: 江苏省苏州市太仓市良辅路6号;
- Assignee: 中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院,中国科学院上海硅酸盐研究所
- Current Assignee: 江苏先进无机材料研究院,中国科学院上海硅酸盐研究所
- Current Assignee Address: 215400 江苏省苏州市太仓市良辅路6号
- Main IPC: C04B35/584
- IPC: C04B35/584 ; C04B35/622 ; C04B35/64
Abstract:
本发明涉及一种表面晶粒定向生长的氮化硅陶瓷及其制备方法，所述表面晶粒定向生长的氮化硅陶瓷包括：主相为β‑Si3N4的氮化硅陶瓷基体、以及原位定向生长于氮化硅陶瓷基体表面的由长棒状β‑Si3N4晶粒形成的膜层，所述长棒状β‑Si3N4晶粒的直径为200nm～2μm，长度为2～5μm。
Public/Granted literature
- CN112441838A 一种表面晶粒定向生长的氮化硅陶瓷及其制备方法 Public/Granted day:2021-03-05
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