一种半导体器件，包括：第一结构，包括第一接合结构；以及第二结构，在所述第一结构上，并且包括连接到所述第一接合结构的第二接合结构。所述第一接合结构包括：第一绝缘层；第一接合绝缘层，在所述第一绝缘层上；第一接合焊盘，穿透所述第一绝缘层和所述第一接合绝缘层的至少一部分；以及第一金属图案，在所述第一绝缘层中并且与所述第一接合绝缘层接触，并且具有在比所述第一接合焊盘的上表面更低的高度处的上表面。所述第二接合结构包括：第二接合绝缘层，接合到所述第一接合绝缘层；第二绝缘层，在所述第二接合绝缘层上；以及第二接合焊盘，穿透所述第二接合绝缘层并且连接到所述第一接合焊盘。